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新型存储,谁最有希望?
2025年7月,存储技术正迎来革新,新兴非易失性存储器(eNVMs)成为焦点。ReRAM、MRAM、FeRAM和PCM等技术展现潜力,有望突破传统CMOS限制,推动内存计算发展。二维材料和有机材料的引入为高密度、低功耗存储提供新路径,适用于AI和边缘计算。柔性基底存储器在可穿戴设备和物联网领域表现突出,但仍需克服机械可靠性和集成挑战。类突触存储器结合生物启发机制,助力实现分布式智能系统。未来,数字向类突触计算过渡将提升能效与适应性,推动AI和IoT硬件架构演进。
Oasis
07-15 10:39:10
二维材料
类突触计算
非易失性存储器
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