2025年，英诺赛科凭借氮化镓芯片技术成为英伟达供应链中的中国独家供应商，市值达722.68亿港元。创始人骆薇薇从NASA辞职回国创业，带领团队突破技术瓶颈，9年内将公司从‘三无小作坊’发展为全球氮化镓功率半导体市占率第一的企业（42.4%）。公司采用IDM模式和8英寸工艺，攻克量产难题，并于2024年12月登陆港交所，成为‘中国氮化镓半导体第一股’。英诺赛科的芯片广泛应用于数据中心、新能源汽车等领域，其技术助力英伟达解决AI算力带来的电力系统升级需求。骆薇薇表示，目标是让中国半导体在全球拥有话语权。

8月1日，英伟达（NVIDIA）官网更新了800V直流电源架构合作商名单，中国芯片企业英诺赛科成为唯一入选的中国企业。此次合作标志着双方将在AI数据中心领域推动800V直流电源架构的规模化应用，展开深度协作。这一进展凸显了英诺赛科在高压电源芯片领域的技术实力，也表明中国企业在国际高端技术合作中占据重要地位。

7月10日，台积电证实将在未来两年内退出氮化镓晶圆代工业务，此决定基于市场动态与长期策略。英飞凌计划2025年第四季度提供12英寸氮化镓晶圆样品。业内人士认为，氮化镓产业更适合IDM模式而非代工，因需深度协同设计与应用。目前，12英寸氮化镓晶圆产业化面临技术挑战，尚无MOCVD厂商推出解决方案。市场需求方面，氮化镓功率器件增长显著，预计2029年市场规模达22亿美元，驱动力包括电动汽车、数据中心等。英诺赛科在新能源汽车、AI领域取得突破，车规级芯片交付量同比增长986.7%。公司计划2025年底扩产至月产2万片晶圆，并聚焦车载及高压器件研发。