2025年7月，半导体行业先进封装技术竞争加剧。台积电推出CoPoS技术，计划2028-2029年量产，并为苹果A20系列准备WMCM封装工艺。英特尔升级EMIB-T技术，优化电源传输与数据通信，同时研发散热创新技术应对高性能芯片需求。联电加码W2W 3D IC封装，夺得高通HPC产品大单。三星推出SAINT技术体系，建设HBM封装工厂和日本APL实验室。AI与HBM内存需求推动封装技术向3D堆叠发展，各大厂商积极布局以满足AI市场对高性能、低功耗芯片的需求。

6月16日消息，韩国KAIST和TB级互联与封装实验室共同预测了未来十年AI GPU加速卡的发展趋势。当前最先进的HBM3E已实现最大288GB，而即将推出的HBM4预计可达384GB至432GB。未来HBM5可能达到400-500GB，HBM6达1.5-1.9TB，HBM7更将突破5-6TB。NVIDIA Rubin系列预计明年推出，单卡功耗达2200W；到2029年的Feyman系列，功耗将升至4400W。若按此趋势发展，2035年新一代GPU功耗或超15000W。如此高的功耗引发担忧，数据中心能源需求或将大幅增加。