5月6日，存储三巨头三星电子、SK海力士和美光正加速开发新一代服务器DRAM模块‘MRDIMM’，目前已进入最后开发阶段。MRDIMM专为AI和高性能计算优化，可同时运行双内存通道，数据传输速率达8800MT/s，峰值带宽较DDR5 RDIMM提升近40%，有效缓解多核处理器的内存带宽瓶颈。与HBM集成GPU不同，MRDIMM作为CPU直接访问的主内存，将满足未来高性能计算需求，或为两类接口芯片市场带来新机遇。JEDEC正推动该技术标准化，预计对行业产生深远影响。

AI时代，计算能力和内存带宽匹配问题成关键挑战。新型内存技术MRDIMM应运而生，采用‘1+10’架构，大幅提升数据传输速度。第一代MRDIMM速度达8800MT/s，第二代达12800MT/s，预计未来可达17600MT/s。美光、Rambus、瑞萨电子等巨头已推出相关产品，英特尔至强6处理器测试显示性能提升33%。MRDIMM与HBM各有优势，将在AI领域并存发展，推动内存市场革新。2024年，多家企业加速布局，澜起科技已实现规模试用。