根据Counterpoint Research报告，SK海力士首次超越三星，成为全球DRAM市场冠军，第一季度市场份额达36%，略高于三星的34%。SK海力士的成功得益于其在高带宽内存（HBM）领域的领导地位，HBM需求受AI热潮推动，SK海力士占据该领域70%份额。尤其在AI服务器加速器市场，其HBM3E芯片独家供应英伟达。此外，SK海力士1c DRAM良率提升至80%，领先三星，预计HBM内存芯片需求未来三年年增长率达82%。相比之下，三星仍依赖传统DRAM，约80%-90%收入来自传统芯片，面临市场需求萎缩的压力。

存储市场自2024年下半年遇冷，2025年3月显复苏迹象。全球NAND厂商如闪迪、美光、三星等计划4月起涨价，涨幅超10%。三星和SK海力士减产致第一季度NAND产量减少超10%。机构预测2025年中国半导体存储器市场规模将达4580亿元，AI有望成存储芯片周期上行核心动力。AI服务器需求增长推动SSD、HBM、DDR5等高端存储产品需求。SK海力士HBM产品线贡献超102%营收增长。国产存储厂商如兆易创新、佰维存储等提前布局AI相关存储技术，聚焦HBM、DDR5等领域。三星与美光计划2025年底前停产DDR3和DDR4内存。尽管传统存储需求疲软，但AI需求增长或助存储市场下半年回暖。

存储市场在后疫情时代经历剧烈波动，需求降至历史低位，为应对市场状况，制造商通过降价手段调整库存，存储价格一度回暖。然而，近期存储价格再次陷入动荡，不同存储类别的价格持续下滑，包括DDR、SSD、LPDDR和eMMC等产品。价格下降趋势反映出存储技术的进步、市场需求的疲软和行业竞争的加剧。 在近期的...

AI服务器的显著增长正在推动全球存储市场的快速扩张。根据《科创板日报》的报道，第二季度，受AI服务器需求提升的影响，eSSD、DDR5 RDIMM和HBM的需求持续增长，进而推动了原厂NAND Flash和DRAM的平均售价（ASP）上涨。具体数据方面，全球NAND Flash市场规模在第二季度环比增长了18.6%，达到180.0亿美元；DRAM市场规模环比增加了24.9%，达到234.2亿美元。综合来看，全球存储市场规模在第二季度环比增长了22.1%，达到414.2亿美元，较去年同期大幅增长108.7%。这一趋势反映出AI技术对存储市场具有强大的驱动作用，预计未来存储需求将继续保持强劲增长态势。

标题：3D NAND内存：技术革新与市场动态 随着存储市场复苏，铠侠和三星等厂商逐步提升产能利用率，结束了先前的减产策略。尽管NAND市场可能面临产能过剩的担忧，但高容量需求如AI数据中心仍支撑市场。3D NAND技术的持续发展，如铠侠的200层以上堆叠，推动了存储密度的大幅提升。 20年来，NAN...