10月22日，据《科创板日报》报道，因数据中心扩张及云计算从AI训练转向推理，大容量存储需求激增，推动NAND闪存市场复苏。三星电子位于平泽的主要NAND工厂扩大运营，其第八代（V8）NAND生产线的利用率在第三季度环比提升超10%，达约80%。（ZDNet）

10月5日，据《科创板日报》报道，近期多国芯片巨头上调存储芯片价格，全球存储芯片市场持续涨价。三星电子计划第四季度将部分DRAM价格上调15%-30%，NAND闪存上调5%-10%；群联、西部数据等厂商也相继提价。摩根士丹利预测，受人工智能推动，存储芯片行业将迎来“超级周期”。OpenAI与三星、SK海力士达成协议，计划2029年采购90万片存储芯片晶圆，凸显市场需求激增。分析师指出，NAND闪存或成AI时代主流存储选择，但未来十年可能面临长期短缺。TrendForce预计25Q4 NAND Flash价格将上涨5-10%，中信证券看好大容量QLC SSD在2026年爆发增长。

中信证券9月29日研报指出，本轮存储周期上行与上轮不同，呈现‘保守预期→北美CSP上调CAPEX+HDD需求外溢’的特点。NAND过去约3季度产能利用率较低，叠加海外原厂谨慎CAPEX预期，预计存储景气度将延续至26H2。建议关注企业级SSD需求增长，特别是企业级产品进展快、涨价受益逻辑强的存储模组公司。

9月25日，慧荣科技总经理苟嘉章在第四届GMIF 2025创新峰会上表示，明年存储市场将面临严重缺货，特别是NAND存储。他提醒业界尽早准备，并指出尽管美国半导体关税制裁带来不确定性，但AI发展将推动存储需求增长。苟嘉章呼吁行业避免低价竞争，倡导携手合作以应对挑战。（财联社、证券时报）

2025年9月24日，美光科技发布2025财年第四季度财报，营收113.2亿美元，同比增长46%，超市场预期。公司预计2026财年第一财季营收122亿至128亿美元，毛利率达50.5%-52.5%。CEO Sanjay Mehrotra指出，DRAM和NAND库存紧张，HBM需求显著增长，预计2026年HBM出货量增速将超整体DRAM，成为核心增长驱动力。美光计划2026年第二季度量产HBM4，性能领先行业。此外，AI推动数据中心、智能手机和PC对存储的需求，供应紧张局面将持续至2026年。公司资本支出预计达180亿美元，主要用于DRAM相关产能扩展。

2025年9月17日，据DigiTimes报道，受强劲AI需求推动，2025年第四季度NAND与DRAM合约价预计大涨15%-20%，打破传统年末降价趋势。云服务提供商因HDD短缺转向高容量SSD，三星V9 NAND等高端产品接近售罄。供应链预计价格涨幅将持续至2026年一季度，部分厂商已提出10月涨价10%的要求，现货市场DRAM涨幅可能更显著。尽管消费者购买力未显著提升，但大型云厂商订单增加，推动存储市场从2025年第二季度开始复苏。群联电子8月营收达59.34亿新台币，利润同比增长49倍，反映行业回暖趋势。

2025年9月11日，SK海力士宣布开始供应全新高性能NAND闪存解决方案ZUFS 4.1，以满足搭载设备端人工智能（AI）功能的智能手机需求。新产品基于区域存储技术，通过将数据按使用特性和需求分类存储，显著提升了操作系统速度和数据管理效率。SK海力士此次推出的新方案旨在应对快速增长的AI设备市场，为用户提供更高效的存储体验，进一步巩固其在高端存储领域的竞争力。

2025年8月25日，SK海力士宣布成功开发并开始量产321层2Tb QLC NAND闪存产品。该产品预计将在明年上半年正式进入AI数据中心市场，为高性能存储需求提供支持。这一技术突破展示了SK海力士在存储领域的领先地位，同时为未来数据中心和AI应用提供了更高效的存储解决方案。

2025年7月9日，TrendForce集邦咨询最新调查显示，NAND Flash市场在经历上半年减产与库存去化后，供需失衡已明显改善。原厂将产能转向高毛利产品，导致市场流通供给量缩减。需求方面，企业加大AI投资，加上英伟达新一代Blackwell芯片大规模出货，支撑市场需求。预计三季度NAND Flash平均合约价将季增5%至10%。但因智能手机下半年需求不明，eMMC、UFS产品涨幅较低。

《科创板日报》6日消息，日本NAND闪存巨头铠侠宣布中长期业务计划，计划五年内将其在日本四日市工厂和北上工厂的产能较2024财年翻一番，目标在2029财年达成，以应对人工智能数据中心对NAND闪存的需求增长。铠侠还计划于2026年下半年开始生产下一代内存产品。