财联社9月5日讯，SK海力士在2023年第二季度蝉联全球DRAM市场占有率第一，份额从第一季度的36.9%升至39.5%，连续两个季度超越三星电子。得益于DRAM合约价格上涨和HBM出货量增加，SK海力士销售额达122.26亿美元，领先三星电子超19亿美元。三星电子市占率从34.4%降至33.3%，与SK海力士差距扩大至6.2个百分点。SK海力士占据全球HBM市场超50%份额，主要客户包括英伟达等科技巨头，预计今年营业利润将达30万亿-33万亿韩元。

2025年二季度，全球DRAM市场规模达321.01亿美元，环比增长20%，创历史季度新高。AI驱动的高价值DRAM（如HBM3E和DDR5）需求增长，叠加存储原厂EOL通知刺激DDR4/LPDDR4X价格与需求攀升，推动市场扩张。SK海力士以38.2%的市场份额蝉联第一，并扩大了与三星的差距，巩固其在DRAM市场的领先地位。

8月12日，美光科技上调第四财季收入和利润预期，预计收入为112亿美元（上下浮动1亿），调整后每股收益2.85美元（上下浮动7美分），毛利率达44.5%。公司股价因此涨超4%。美光称，DRAM价格改善推动业绩预期上调，尤其受益于人工智能基础设施对存储芯片需求的激增。分析师指出，HBM芯片供应限制与AI需求强劲助力美光提升产品定价，扭转存储芯片利润率下滑趋势。此前SK海力士预测，到2030年HBM市场将以每年30%增长。此外，美光因在美国制造免受芯片关税影响，并计划增加300亿美元投资，总额达2000亿美元。

7月8日，国产DRAM大厂长鑫存储启动上市辅导，辅导机构为中金公司和中信建投。长鑫存储成立于2016年，是国内技术最先进、唯一实现大规模量产DRAM的IDM企业。华安证券认为，其与长江存储的崛起有助于提升我国半导体产业链地位，降低对进口芯片依赖。当前DRAM/NAND价格持续上涨，DDR4芯片两月内涨两倍，主要因三星等厂商退出DDR4生产及下游备货需求。天风证券预计，Q3 DDR4合约价涨30-40%，Q4继续上涨；eSSD合约价涨5%-10%。AI服务器驱动存储需求增长，预计2025年全球AI存储支出达76亿美元。国产厂商如江波龙、佰维存储等加速技术突破，推动国产替代进程。

2025年年初以来，全球DRAM市场表现强劲，综合价格指数累计上涨47.7%，其中6月单月上涨19.5%。受AI驱动内存升级、厂商供应策略调整及下游刚需支撑，传统通用型和服务器用DRAM出现量价齐升局面。此前自2024年下半年开始的供过于求，已转变为2025年上半年的供应紧张，对消费类终端和服务器市场造成显著影响。多重因素叠加推动下，2025年全球DRAM市场规模预计创历史新高。

财联社5月13日消息显示，自2025年第二季度起，DRAM市场持续上涨，其中部分型号DDR4价格一个月内涨幅接近50%。此轮价格上涨主要由AI推动的HBM及服务器DRAM需求增长所致，三星和SK海力士等原厂已将DDR4产能转移至高端产品。业内人士称，下游厂商因长期需求增加而紧急备货，进一步加剧了DDR4的供应紧张局面。存储原厂及库存充足的模组厂可能成为受益者。值得注意的是，国际大厂的产能调整与供应链变化为中国本土存储企业带来了新的市场机会。

3月19日，韩国半导体企业SK海力士宣布推出专为人工智能设计的超高性能DRAM新品——12层HBM4，并在全球范围内首次向主要客户提供了该产品的样品。作为下一代存储技术，HBM4将显著提升数据处理速度与效率，助力高性能计算和AI领域的发展。SK海力士透露，预计将在今年下半年完成量产准备工作。这一进展标志着全球半导体行业在先进存储解决方案上的又一重要突破。

TechInsights报告显示，2025年一季度将首次推出D1c DRAM产品，由SK海力士率先推出。预计2026年和2027年，D1c DRAM将在市场中占据主导地位，包括HBM4 DRAM应用。当前，HBM3和HBM3E性能优异但价格较高，而LPDDR5和DDR5价格较低但性能较弱。未来AI和数据中心需求将推动更高容量的DRAM芯片发展，如32Gb、48Gb或64Gb。为了满足这一需求，需开发3D DRAM架构，如4F2 VCT单元、IGZO DRAM单元或3D堆叠DRAM单元。预计到2027年底，DRAM将迈入个位数纳米技术节点，如D0a，随后是0b和0c世代。

《科创板日报》报道，三星电子正开发下一代DRAM，旨在大幅提升AI智能手机及PC的计算性能。为增强移动HBM的性能与稳定性，三星计划采用铜柱连接堆叠的DRAM技术。此项进展有助于未来AI设备的效能提升。（17日）

2024年下半年，存储行业步入下行周期，DRAM和NAND价格持续下跌。预计2025年上半年，DRAM价格将进一步下跌，特别是DDR4和LPDDR4X。三星和SK海力士等存储巨头计划减产以应对需求不足，但HBM市场逆势增长，2025年HBM出货量预计同比增长70%。NAND价格自2024年9月起持续下跌，预计2025年将有所反弹。存储行业面临挑战，三星和SK海力士的盈利预期下调，反映出市场疲软。