2026年第一季度，受AI与数据中心需求推动，全球存储器供需失衡加剧，原厂议价能力增强。TrendForce集邦咨询最新调查显示，DRAM合约价季增幅从此前预估的55-60%上调至90-95%，NAND Flash合约价从33-38%上调至55-60%。未来价格仍有进一步上涨可能。

2025年12月30日，长鑫科技科创板IPO申请获上交所受理，这家国产存储龙头在DRAM领域占据核心地位，并带动产业链腾飞。尽管2023年净亏损近200亿元，但长鑫通过豪赌扩产和技术突破（如1αnm工艺与DDR5量产），成功扭转局面。2024年起，DDR5产品量产推动营收暴增，2025年上半年营收同比增长61%，前三季度亏损大幅收窄至59.8亿，预计全年净利润达565亿。长鑫采用IDM模式，在合肥、北京布局三座晶圆厂，固定资产投资巨大，研发投入占比超20%。AI服务器需求激增使DDR5价格暴涨，助力长鑫提前扭亏，现金流于2024年回正。市场预测其市值有望突破万亿，成为中国DRAM产业自主可控的关键力量。

近日，英特尔与桑迪亚国家实验室在‘先进内存技术’项目中取得突破，开发出新型DRAM技术，可能助力英特尔重返DRAM领域。尽管未明确宣布大规模重返独立DRAM制造市场，但结合当前AI驱动的存储需求激增，英特尔正通过前沿技术研发和商业化合作试探风向。2024年末，英特尔与软银成立合资公司Saimemory，目标是开发低功耗、高容量的堆叠式DRAM，挑战HBM市场垄断。此外，英特尔在eDRAM领域的技术积累为其提供了战略灵活性。面对三星等巨头的竞争，英特尔或将通过架构创新重新定义存储角色，未来布局值得关注。

自2025年7月以来，全球DRAM市场经历‘史上最强’涨价周期，多数品类涨幅超100%，DDR4与DDR5年内涨2-3倍。2026年初，价格涨势加速，256G DDR5服务器内存单价超4万元，一盒百根价值堪比上海房产。TrendForce报告显示，PC DRAM合约价强劲上涨，原厂优先供货战略客户，OEM转向高价模组厂，成本持续走高。囤货行为扩散至贸易商和资金方，大额资金涌入市场豪赌未来涨势。AI需求推动制造商将产能转向高利润产品，DDR4因减产出现‘逆周期暴涨’。专家预计，供需矛盾短期内难以缓解，2026年第一季度DRAM合约价或再涨15%以上，涨势可能延续至下半年。

12月10日，由于AI产业对数据中心DRAM需求激增，全球内存制造商优先投入高利润业务，导致DRAM价格飙涨。三星、SK海力士和美光三大厂商掌控超93%市场份额，财报显示营收净利创新高。美光逐步退出消费者品牌Crucial，专注服务器内存供应；三星和SK海力士或将40%产能用于OpenAI项目。PC行业首当其冲，芝奇DDR5内存价格从124.99美元涨至389.99美元。冲击已扩散至智能手机、游戏机和笔记本领域，IDC预测2026年手机销量减少且均价上涨9美元。厂商通过提价或削减配置应对短缺，但三大制造商为维持高价不愿扩产，SK海力士预计短缺持续至2027年，IDC称价格可能在2026年保持不变或继续上涨。

11月20日，韩国KB证券上调全球存储芯片巨头SK海力士目标股价至87万韩元，维持“买入”评级。受英伟达强劲财报提振，SK海力士当日股价大涨超4%。KB证券指出，DRAM市场或于2027年转为供应商主导格局，存储需求进入30年来首次繁荣周期，供应短缺将持续至少两年。分析师预计，SK海力士第四季度营收和营业利润将创新高，分别达28.1万亿韩元和15.1万亿韩元。此外，其HBM市场份额有望保持在60%-65%，并在AI存储领域占据领先地位。近期，摩根士丹利和瑞银等投行也纷纷上调其目标价。

11月12日，摩根士丹利发布报告《内存——最强定价权》，上调三星电子和SK海力士目标股价。三星目标价调至14.4万韩元，牛市或达17.5万韩元；SK海力士目标价升至73万韩元，牛市有望达85万韩元。报告称，受AI基础设施竞争推动，DRAM和NAND闪存价格持续上涨，DDR5现货价格9月以来飙升336%。大摩预测，DRAM价格未来几周将继续大涨，NAND合约价第四季度或涨20%-30%，此次存储芯片涨价幅度前所未有，行业进入超级周期，盈利前景可观。这是大摩一个月内第二次上调两公司目标价。

2025年11月3日，SK海力士宣布正在研发包括HBM、AI-DRAM和AI-NAND在内的新型存储产品，并公布内存产品发展路径图。为推动技术进步，SK海力士深化与多家科技巨头的合作：与英伟达携手推进AI制造技术，与台积电共同开发下一代HBM基片，同时与闪迪合作促进高带宽闪存（HBF）市场的国际标准化。这一系列动作表明SK海力士正积极布局AI存储领域，强化其在全球市场的竞争力。

10月31日，兆易创新在与机构线上交流中表示，公司对存储市场前景较上半年更为乐观。需求端因海外科技巨头推动AI基建和算力增长，存储需求显著提升，且科技巨头规划的产能需求超出主要厂商计划增量。公司预计，未来2年利基型DRAM市场供应将持续紧张，价格有望在今年第四季度进一步上涨，并在明年保持较好水平。

10月14日，数据显示三星电子在第三季度重新夺回全球存储芯片市场霸主地位，销售额达194亿美元，环比增长25%。SK海力士同期销售额为175亿美元。Counterpoint Research指出，三星业绩得益于DRAM和NAND闪存需求强劲，并预测其第四季度将继续保持领先地位。此外，三星第五代12层HBM3E通过英伟达认证，成为第三家获此资格的供应商。三星初步财报显示，Q3营业利润同比增32%，达12.1万亿韩元，创三年多新高，销售额首次突破80万亿韩元。分析师称，三星HBM业务上半年虽遇挑战，但通过质量提升成功逆袭。