10月14日，数据显示三星电子在第三季度重新夺回全球存储芯片市场霸主地位，销售额达194亿美元，环比增长25%。SK海力士同期销售额为175亿美元。Counterpoint Research指出，三星业绩得益于DRAM和NAND闪存需求强劲，并预测其第四季度将继续保持领先地位。此外，三星第五代12层HBM3E通过英伟达认证，成为第三家获此资格的供应商。三星初步财报显示，Q3营业利润同比增32%，达12.1万亿韩元，创三年多新高，销售额首次突破80万亿韩元。分析师称，三星HBM业务上半年虽遇挑战，但通过质量提升成功逆袭。

10月1日，韩国三星电子宣布将与OpenAI合作，共同设计、建设和运营STARGATE人工智能数据中心，以应对DRAM芯片需求的激增。预计OpenAI每月对DRAM芯片的需求将达到90万块晶圆。此次合作旨在满足人工智能技术快速发展带来的高需求，并进一步巩固三星在半导体领域的领先地位。

2025年9月24日，美光科技发布2025财年第四季度财报，营收113.2亿美元，同比增长46%，超市场预期。公司预计2026财年第一财季营收122亿至128亿美元，毛利率达50.5%-52.5%。CEO Sanjay Mehrotra指出，DRAM和NAND库存紧张，HBM需求显著增长，预计2026年HBM出货量增速将超整体DRAM，成为核心增长驱动力。美光计划2026年第二季度量产HBM4，性能领先行业。此外，AI推动数据中心、智能手机和PC对存储的需求，供应紧张局面将持续至2026年。公司资本支出预计达180亿美元，主要用于DRAM相关产能扩展。

2025年9月17日，据DigiTimes报道，受强劲AI需求推动，2025年第四季度NAND与DRAM合约价预计大涨15%-20%，打破传统年末降价趋势。云服务提供商因HDD短缺转向高容量SSD，三星V9 NAND等高端产品接近售罄。供应链预计价格涨幅将持续至2026年一季度，部分厂商已提出10月涨价10%的要求，现货市场DRAM涨幅可能更显著。尽管消费者购买力未显著提升，但大型云厂商订单增加，推动存储市场从2025年第二季度开始复苏。群联电子8月营收达59.34亿新台币，利润同比增长49倍，反映行业回暖趋势。

财联社9月5日讯，SK海力士在2023年第二季度蝉联全球DRAM市场占有率第一，份额从第一季度的36.9%升至39.5%，连续两个季度超越三星电子。得益于DRAM合约价格上涨和HBM出货量增加，SK海力士销售额达122.26亿美元，领先三星电子超19亿美元。三星电子市占率从34.4%降至33.3%，与SK海力士差距扩大至6.2个百分点。SK海力士占据全球HBM市场超50%份额，主要客户包括英伟达等科技巨头，预计今年营业利润将达30万亿-33万亿韩元。

2025年二季度，全球DRAM市场规模达321.01亿美元，环比增长20%，创历史季度新高。AI驱动的高价值DRAM（如HBM3E和DDR5）需求增长，叠加存储原厂EOL通知刺激DDR4/LPDDR4X价格与需求攀升，推动市场扩张。SK海力士以38.2%的市场份额蝉联第一，并扩大了与三星的差距，巩固其在DRAM市场的领先地位。

8月12日，美光科技上调第四财季收入和利润预期，预计收入为112亿美元（上下浮动1亿），调整后每股收益2.85美元（上下浮动7美分），毛利率达44.5%。公司股价因此涨超4%。美光称，DRAM价格改善推动业绩预期上调，尤其受益于人工智能基础设施对存储芯片需求的激增。分析师指出，HBM芯片供应限制与AI需求强劲助力美光提升产品定价，扭转存储芯片利润率下滑趋势。此前SK海力士预测，到2030年HBM市场将以每年30%增长。此外，美光因在美国制造免受芯片关税影响，并计划增加300亿美元投资，总额达2000亿美元。

7月8日，国产DRAM大厂长鑫存储启动上市辅导，辅导机构为中金公司和中信建投。长鑫存储成立于2016年，是国内技术最先进、唯一实现大规模量产DRAM的IDM企业。华安证券认为，其与长江存储的崛起有助于提升我国半导体产业链地位，降低对进口芯片依赖。当前DRAM/NAND价格持续上涨，DDR4芯片两月内涨两倍，主要因三星等厂商退出DDR4生产及下游备货需求。天风证券预计，Q3 DDR4合约价涨30-40%，Q4继续上涨；eSSD合约价涨5%-10%。AI服务器驱动存储需求增长，预计2025年全球AI存储支出达76亿美元。国产厂商如江波龙、佰维存储等加速技术突破，推动国产替代进程。

2025年年初以来，全球DRAM市场表现强劲，综合价格指数累计上涨47.7%，其中6月单月上涨19.5%。受AI驱动内存升级、厂商供应策略调整及下游刚需支撑，传统通用型和服务器用DRAM出现量价齐升局面。此前自2024年下半年开始的供过于求，已转变为2025年上半年的供应紧张，对消费类终端和服务器市场造成显著影响。多重因素叠加推动下，2025年全球DRAM市场规模预计创历史新高。

财联社5月13日消息显示，自2025年第二季度起，DRAM市场持续上涨，其中部分型号DDR4价格一个月内涨幅接近50%。此轮价格上涨主要由AI推动的HBM及服务器DRAM需求增长所致，三星和SK海力士等原厂已将DDR4产能转移至高端产品。业内人士称，下游厂商因长期需求增加而紧急备货，进一步加剧了DDR4的供应紧张局面。存储原厂及库存充足的模组厂可能成为受益者。值得注意的是，国际大厂的产能调整与供应链变化为中国本土存储企业带来了新的市场机会。