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国产存储厂商加速崛起 AI驱动下内存产品Q3或延续涨价
7月8日,国产DRAM大厂长鑫存储启动上市辅导,辅导机构为中金公司和中信建投。长鑫存储成立于2016年,是国内技术最先进、唯一实现大规模量产DRAM的IDM企业。华安证券认为,其与长江存储的崛起有助于提升我国半导体产业链地位,降低对进口芯片依赖。当前DRAM/NAND价格持续上涨,DDR4芯片两月内涨两倍,主要因三星等厂商退出DDR4生产及下游备货需求。天风证券预计,Q3 DDR4合约价涨30-40%,Q4继续上涨;eSSD合约价涨5%-10%。AI服务器驱动存储需求增长,预计2025年全球AI存储支出达76亿美元。国产厂商如江波龙、佰维存储等加速技术突破,推动国产替代进程。
AI奇点纪元
07-08 11:48:35
DDR4
DRAM
存储
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量价齐升 全球DRAM市场规模有望创历史新高
2025年年初以来,全球DRAM市场表现强劲,综合价格指数累计上涨47.7%,其中6月单月上涨19.5%。受AI驱动内存升级、厂商供应策略调整及下游刚需支撑,传统通用型和服务器用DRAM出现量价齐升局面。此前自2024年下半年开始的供过于求,已转变为2025年上半年的供应紧张,对消费类终端和服务器市场造成显著影响。多重因素叠加推动下,2025年全球DRAM市场规模预计创历史新高。
数字墨迹
07-02 12:07:43
DRAM市场
历史新高
量价齐升
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原厂产能转向高端产品 DDR4等利基型产品涨价迅猛
财联社5月13日消息显示,自2025年第二季度起,DRAM市场持续上涨,其中部分型号DDR4价格一个月内涨幅接近50%。此轮价格上涨主要由AI推动的HBM及服务器DRAM需求增长所致,三星和SK海力士等原厂已将DDR4产能转移至高端产品。业内人士称,下游厂商因长期需求增加而紧急备货,进一步加剧了DDR4的供应紧张局面。存储原厂及库存充足的模组厂可能成为受益者。值得注意的是,国际大厂的产能调整与供应链变化为中国本土存储企业带来了新的市场机会。
数码游侠
05-13 14:56:29
ai
DDR4
DRAM
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SK海力士首次向客户提供12层HBM4样品 预计下半年量产
3月19日,韩国半导体企业SK海力士宣布推出专为人工智能设计的超高性能DRAM新品——12层HBM4,并在全球范围内首次向主要客户提供了该产品的样品。作为下一代存储技术,HBM4将显著提升数据处理速度与效率,助力高性能计算和AI领域的发展。SK海力士透露,预计将在今年下半年完成量产准备工作。这一进展标志着全球半导体行业在先进存储解决方案上的又一重要突破。
智能维度跳跃
03-19 09:29:44
DRAM
HBM4
SK海力士
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机构:预计2027年底DRAM将迈入个位数纳米技术节点
TechInsights报告显示,2025年一季度将首次推出D1c DRAM产品,由SK海力士率先推出。预计2026年和2027年,D1c DRAM将在市场中占据主导地位,包括HBM4 DRAM应用。当前,HBM3和HBM3E性能优异但价格较高,而LPDDR5和DDR5价格较低但性能较弱。未来AI和数据中心需求将推动更高容量的DRAM芯片发展,如32Gb、48Gb或64Gb。为了满足这一需求,需开发3D DRAM架构,如4F2 VCT单元、IGZO DRAM单元或3D堆叠DRAM单元。预计到2027年底,DRAM将迈入个位数纳米技术节点,如D0a,随后是0b和0c世代。
梦境编程师
02-18 15:33:03
DRAM
HBM
纳米技术节点
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三星开发下一代DRAM以提高AI手机计算性能
《科创板日报》报道,三星电子正开发下一代DRAM,旨在大幅提升AI智能手机及PC的计算性能。为增强移动HBM的性能与稳定性,三星计划采用铜柱连接堆叠的DRAM技术。此项进展有助于未来AI设备的效能提升。(17日)
GhostPilot
02-17 09:53:01
AI智能手机
DRAM
三星
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存储行业,走上分叉口
2024年下半年,存储行业步入下行周期,DRAM和NAND价格持续下跌。预计2025年上半年,DRAM价格将进一步下跌,特别是DDR4和LPDDR4X。三星和SK海力士等存储巨头计划减产以应对需求不足,但HBM市场逆势增长,2025年HBM出货量预计同比增长70%。NAND价格自2024年9月起持续下跌,预计2025年将有所反弹。存储行业面临挑战,三星和SK海力士的盈利预期下调,反映出市场疲软。
WisdomTrail
12-30 19:25:54
DRAM
HBM
存储价格
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HBM明年供应过剩?机构警告:产能一半都卖不出去
北京时间9月14日,《科创板日报》报道,法国巴黎银行旗下的证券部门Exane BNP Paribas发出警告,认为HBM(高带宽内存)市场即将迎来供应过剩的局面。该机构将美光科技的评级从“跑赢大市”直接下调至“跑输大市”,目标价从140美元降至67美元。Exane BNP Paribas预测,到20...
LunarCoder
09-15 22:35:44
DRAM市场衰退
HBM产能过剩
美光表现下滑
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三星利润,暴涨1300%
【#三星电子# Q2利润暴涨13倍】据路透社报道,受AI技术驱动内存芯片价格反弹,三星预计第二季度利润将达到8.8万亿韩元(约63.4亿美元),创2022年Q3以来新高。DRAM尤其是HBM芯片及NAND Flash需求强劲,促使行业复苏。尽管手机业务面临成本压力,但整体盈利预计将超过去年同期的亏损。AI热潮助力三星本季度业绩亮眼。
E-Poet
07-05 22:38:37
DRAM芯片
NAND Flash芯片
三星利润
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内存制造技术再创新,大厂新招数呼之欲出
内存技术革新:大厂美光预测2026年将推出64GB HBMNext,采用16层32Gb DRAM堆叠。HBM4将依赖先进封装技术,如TSV,提升带宽和容量。3D DRAM被视为HBM后续,三星与SK海力士正研发,三星已展示16层3D DRAM,SK海力士5层堆叠良率达到56.1%。两大厂商计划采用混合键合技术,三星可能在2025年推出3D DRAM。然而,3D DRAM面临制造挑战,如微缩、堆叠集成难题及封装技术升级,距量产尚需时间。行业专家预测,3D DRAM将在AI服务器需求推动下,逐渐取代HBM。
智能视野
06-28 18:58:19
3D DRAM
HBM
封装技术
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