半导体巨头NEO Semiconductor于8月18日宣布，其最新研发的3D X-AI芯片在人工智能处理性能上实现了飞跃性的突破，相比传统技术提升了100倍，同时功耗降低了惊人的99%。这款芯片集成8000个神经元电路，能够在3D DRAM中直接执行AI任务，显著减少了数据传输需求，进而大幅度降低能耗和发热问题。相较于现有AI芯片，NEO的创新技术提供了8倍的内存密度，通过堆叠300个DRAM层，实现每芯片高达10 TB/s的AI处理吞吐量。 NEO Semiconductor的创始人兼CEO Andy Hsu指出，当前AI芯片架构中存在的数据存储与处理分离问题，是限制性能提升和增加能耗的主要原因。而3D X-AI芯片通过将AI处理直接在HBM芯片内进行，减少了HBM与GPU之间的数据传输，不仅提高了性能，也显著降低了功耗。此技术的问世，有望加速AI应用的发展，推动新用例的诞生，开启AI应用创新的新时代。