标题：芯片，遭遇双重难题

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最近，semiengineering文章指出，由于芯片复杂性不断上升，从单片芯片转向多芯片组件，首次流片成功率正在急剧下降。西门子数据显示，半导体行业首次流片成功率已降至历史低点。

流片成功率降低的主要原因包括：芯片设计日益复杂，多芯片组件需协调不同工艺节点；定制化芯片增多，设计和验证难度加大；企业缩短开发周期，设计验证时间被压缩；人工智能对芯片算力需求激增，开发和验证技术未能同步跟进。

例如，AMD的Bulldozer架构和高通骁龙810芯片都因流片问题影响了市场表现。

流片仅是第一步，后续的芯片良率问题同样棘手。台积电在5nm工艺上的良率表现较好，但三星和英特尔仍面临良率难题。三星2nm工艺良率提升缓慢，3nm工艺问题突出。英特尔在良率披露上相对模糊，但外界对其18A制程良率仍有质疑。

良率低的原因涉及原材料质量、制造环境、工艺技术及质量管控等多方面。

提升流片成功率和良率，需优化设计、加强验证、培养人才、整合产业链资源，还需改良制程、选用优质材料、探索新技术、完善质量管控体系。这些问题的解决，需要技术、人才、产业链等多方共同努力。